Intel ha anunciado el lanzamiento de dos nuevas unidades de estado sólido (SSD) Intel con tecnología 3D NAND para centros de datos, las series Intel SSD DC P4500 e Intel SSD DC P4600, reforzando así el compromiso de ampliar la oferta de soluciones 3D NAND. Las últimas incorporaciones a la familia de SSD de Intel para centros de datos han sido diseñadas desde cero para las soluciones de almacenamiento en la nube, incluyendo el almacenamiento definido por software y las infraestructuras convergentes. La serie Intel SSD DC P4500, optimizada para lecturas, permite a los centros de datos obtener más valor de los servidores y almacenar más datos. Por otra parte, la serie Intel SSD DC P4600 ha sido diseñada para cargas de trabajo mixtas, acelera el almacenamiento en la memoria cache y permite más cargas de trabajo por servidor.
Las series Intel SSD DC P4500 y P4600 incorporan tecnología 3D NAND de celda de nivel triple (TLC) de Intel, que ofrece la máxima densidad del sector, además de incorporar un controlador totalmente nuevo desarrollado por Intel, innovaciones del firmware exclusivas y PCIe/NVMe. Las nuevas SSD para centros de datos ofrecen una magnífica combinación de rendimiento, capacidad, gestionabilidad y fiabilidad, además de ofrecer valor para transformar los centros de datos. Estas prestaciones únicas agilizan el paso a un almacenamiento definido por software, gracias a un escalado efectivo, una mayor eficiencia de los centros de datos y una reducción del coste total de la propiedad, mejorando al mismo tiempo los niveles de servicio. En una primera etapa, las series Intel SSD DC P4500 y P4600 se lanzarán en un formato de tarjeta de media altura y media longitud, que se puede añadir al sistema y en un formato U.2 de 2,5 pulgadas, con capacidades de 1, 2 y 4TB.
Intel también amplía sus instalaciones del Fab 68 en Dalian, China, aumentando su oferta 3D NAND para mejorar las necesidades de almacenamiento de sus clientes. En octubre de 2015, Intel anunció inversiones en el Fab 68 y una transformación de las instalaciones para producir dispositivos con tecnología 3D NAND.
